企业简介
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上海凯世通半导体有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10743812 |  |
ION-SOLAR | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 2 | 10743816 |  |
KINGSTONE SEMICONDUCTOR COMPANY,LTD.(SHANGHAI) | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 3 | 10743817 |  |
上海凯世通半导体有限公司 | 2012-04-10 | 粒子加速器；半导体；集成电路；太阳能离子注入机 | 查看详情 |
| 4 | 10743810 |  |
ISOLAR | 2012-04-10 | 粒子加速器；半导体；太阳能离子注入机 | 查看详情 |
| 5 | 10743815 |  |
SHANGHAI KINGSTONE SEMICONDUCTOR COMPANY,LTD. | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 6 | 10743814 |  |
ION SOLAR | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 7 | 10743811 |  |
ION+SOLAR | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 8 | 10743809 |  |
IPV | 2012-04-10 | 粒子加速器；集成电路；太阳能离子注入机 | 查看详情 |
| 9 | 10743813 |  |
IONSOLAR | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
| 10 | 10743808 |  |
SEMICONDUCTOR KINGSTONE | 2012-04-10 | 粒子加速器;半导体;集成电路;太阳能离子注入机; | 查看详情 |
上海凯世通半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103311093B | PN结构的掺杂方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种PN结构的掺杂方法，其包括：步骤S<sub>1</sub>、通过离子注入的方式将掺杂 |
| 2 | CN105470084A | 电子供应系统 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种电子供应系统，包括一腔体，该腔体的侧壁上设置有沿该腔体的长度方向分布的引出单元，该腔 |
| 3 | CN102856147B | 束流传输系统及其束流传输方法 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种束流传输系统及其束流传输方法，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件，所 |
| 4 | CN105264636A | 束流传输系统和方法 | 2016.01.20 | 一种束流传输系统和方法，该束流传输系统包括引出装置(2)、质量分析磁铁(3)、发散元件(4)、准直元 |
| 5 | CN103377866B | 离子注入设备 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种离子注入设备，其包括用于引出离子束的离子源系统以及一用于传输离子束的离子束传输系统， |
| 6 | CN204991724U | 光伏电池和太阳能电池组件 | 2016.01.20 | 本实用新型公开了一种光伏电池和太阳能电池组件，该光伏电池为两面受光的双面电池，该双面电池包括相互平行 |
| 7 | CN105225933A | 掺杂方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种掺杂方法，包括以下步骤：在第一导电类型衬底的背面扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并且 |
| 8 | CN105097987A | 背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件。该背接触电池包括至少一对第一主栅和第二主栅， |
| 9 | CN204668275U | 供料装置和离子源装置 | 2015.09.23 | 本实用新型公开了一种供料装置和离子源装置，该供料装置包括容器、空心旋帽和空心杆，该容器包括一容器主体 |
| 10 | CN303339370S | 离子注入机 | 2015.08.19 | 1．本外观设计产品的名称：离子注入机。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于离子注入。3．本外 |
| 11 | CN103227233B | 真空传输制程设备及方法 | 2015.07.22 | 本发明公开了一种真空传输制程设备及方法。该设备包括：一真空制程腔，包括一加工区域、一第一等待区域以及 |
| 12 | CN102237803B | 高压供电装置 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种高压供电装置，其包括一高压电源，该高压供电装置还包括：一控制电路，该控制电路具有一与 |
| 13 | CN102738264B | 掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种掺杂单元包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域； |
| 14 | CN204257585U | 采用固态掺杂剂的离子源装置 | 2015.04.08 | 本实用新型提供一种采用固态掺杂剂的离子源装置，其包括电弧腔体，以及气化装置和输送保持装置，该气化装置 |
| 15 | CN102637767B | 太阳能电池的制作方法以及太阳能电池 | 2015.03.18 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤：在N型基底表面中形成N+型掺杂层；在该N+型掺杂层 |
| 16 | CN102194637B | 离子注入系统及方法 | 2015.03.18 | 本发明公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分 |
| 17 | CN303102033S | 面板载盘 | 2015.02.11 | 1．本外观设计产品的名称：面板载盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于盛放晶片。3．本外观 |
| 18 | CN102891060B | 热阴极离子源系统 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种热阴极离子源系统，其包括多个电极以及分别与该多个电极相应的多个馈通，每个馈通均包括一 |
| 19 | CN303101903S | 气柜 | 2015.02.11 | 1．本外观设计产品的名称：气柜。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在制作AMOLED（有源 |
| 20 | CN104347751A | 太阳能电池的制作方法 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在一衬底的背面中形成第一导电类型掺杂区域和第二导电类型掺 |
| 21 | CN303102277S | 管道放置模块 | 2015.02.11 | 1．本外观设计产品的名称：管道放置模块。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于容置离子注入机中 |
| 22 | CN303102032S | 面板注入扫描装置 | 2015.02.11 | 1．本外观设计产品的名称：面板注入扫描装置。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装载面板载盘 |
| 23 | CN102751155B | 束流传输系统及其传输方法 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种束流传输系统及其传输方法，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件以及相互 |
| 24 | CN102738263B | 掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、电池及制作方法 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种掺杂单元，包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域 |
| 25 | CN104299871A | 离子源系统和离子束流系统 | 2015.01.21 | 本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系 |
| 26 | CN102110568B | 束流传输系统及方法 | 2014.12.10 | 本发明公开了一种束流传输系统，其包括一束流出射装置和一作为束流传输终点的目标工件，在该束流出射装置和 |
| 27 | CN203982131U | 多路控制电路 | 2014.12.03 | 本实用新型提供一种多路控制电路，其包括一供电电源和至少一个控制器，该供电电源与每个控制器均相连，每个 |
| 28 | CN104143503A | 掺杂方法 | 2014.11.12 | 本发明公开了一种掺杂方法，包括：步骤S<sub>1</sub>、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺 |
| 29 | CN302992993S | 背接触太阳能电池 | 2014.11.05 | 1．本外观设计产品的名称：背接触太阳能电池。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于将光能转换为 |
| 30 | CN102569492B | 太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片 | 2014.11.05 | 本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法，包括以下步骤：步骤S<sub>1</sub>、在N型基底表面形 |
| 31 | CN203932073U | 背接触电池及太阳能电池组件 | 2014.11.05 | 本实用新型公开了一种背接触电池及太阳能电池组件。该背接触电池包括至少一对第一主栅和第二主栅，所有第一 |
| 32 | CN203932014U | 离子注入设备 | 2014.11.05 | 本实用新型提供一种离子注入设备，其包括真空制程腔，以及：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包 |
| 33 | CN102412335B | 太阳能晶片及其制备方法 | 2014.11.05 | 本发明公开了一种太阳能晶片及其制备方法，该方法包括以下步骤：S<sub>1</sub>、在P型基底的 |
| 34 | CN103985780A | 太阳能电池的制作方法 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层；在该衬底的背面中形 |
| 35 | CN103985779A | 太阳能电池的制作方法及太阳能电池 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，包括：步骤S<sub>1</sub>、采用离子注入 |
| 36 | CN102486985B | 离子源装置 | 2014.07.30 | 本发明公开了一种离子源装置，其包括一放电室以及一多孔多电极引出系统，该多孔多电极引出系统的多个引出孔 |
| 37 | CN102569491B | 太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片 | 2014.07.23 | 本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N+型掺杂层；在该N+型掺杂层表 |
| 38 | CN102479654B | 离子注入设备及方法 | 2014.07.23 | 本发明公开了一种离子注入设备及方法。在该离子注入设备中，在从该离子源系统至该工件传输装置的离子束的束 |
| 39 | CN102487103B | 太阳能电池及其制备方法 | 2014.07.09 | 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法包括以下步骤：S<sub>1</sub>、在N型基底的晶片表面形 |
| 40 | CN102487102B | 太阳能电池及其制备方法 | 2014.07.09 | 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：S<sub>1</sub>、通过离子注入的方式在 |
| 41 | CN102376518B | 离子注入系统及方法 | 2014.07.09 | 本发明公开了一种离子注入系统，其包括一离子源系统、一扫描磁铁、一质量分析磁铁、一工件传输设备；该离子 |
| 42 | CN103828069A | 掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池 | 2014.05.28 | 本发明提供了一种掺杂方法，包括：在N型基底（1）的表面中形成N+掺杂区域（2）；在N型基底的表面中形 |
| 43 | CN102456595B | 真空传输制程设备及方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种真空传输制程设备及方法，该设备包括一真空制程腔，该真空制程腔中设有一加工装置，该加工 |
| 44 | CN102637766B | 太阳能晶片掺杂方法、掺杂晶片、太阳能电池及制作方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N型扩散层；在该N型扩散层表面形 |
| 45 | CN102339876B | 太阳能晶片及其制备方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种太阳能晶片，包括：一N型基底；一位于该N型基底上的P型掺杂层；一位于该P型掺杂层上的 |
| 46 | CN102315065B | 束流传输系统及方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种束流传输系统，其包括一束流出射装置和一作为束流传输终点的目标工件，在该束流出射装置与 |
| 47 | CN102337509B | 真空移动装置及方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种真空移动装置，用于在一真空腔中移动一移动对象，其包括至少一个设于该真空腔中的两端封闭 |
| 48 | CN102386272B | 真空传输制程设备及方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种真空传输制程设备，其包括：至少两个进出件腔；至少两个与各进出件腔一一对应的传输平台； |
| 49 | CN102569493B | 太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面设置第一掩模板，该N型基底表面上未被 |
| 50 | CN102117729B | 离子束传输装置 | 2014.03.19 | 本发明公开了一种离子束传输装置，其包括一个或多个电极，在该一个或多个电极周围设置一对或多对磁铁，该一 |
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